恒铭达拟4900万元增资远山新材料，布局第三代半导体氮化镓领域

恒铭达5月26日晚间公告，基于发展战略规划，公司拟向远山新材料科技有限公司增资4900万元，其中2177.56万元计入注册资本，剩余2722.44万元计入资本公积。本次交易完成后，公司将持有标的公司8.9253%股权。

公告显示，本次投资已于5月25日经公司第四届董事会第七次会议审议通过。根据相关规定，该事项在董事会决策权限内，无需提交股东会审议。本次对外投资不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。

远山新材料科技有限公司成立于2017年10月，注册资本2.222亿元，注册地址位于山东省济宁市高新区，是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业。其核心技术源自日本知名第三代半导体专家河合弘治，河合弘治与日本诺贝尔物理学奖获得者天野浩为多年研发合作伙伴，曾共同开发氮化镓前沿技术与产品并发表署名论文。

公司主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓（GaN）极化超级结（PSJ）功率器件。产品可应用于算力服务器电源、新能源车、光伏储能、机器人等工业级场景。

恒铭达表示，本次对外投资符合公司整体战略发展规划，有助于进一步拓展产业布局、深化全面合作，有望持续增强核心竞争力与抗风险能力，对公司业务拓展、技术研发水平提升及长远可持续发展具备积极意义。